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参数资料
| 型号： | MJD32CT4-A |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 249K |
| 代理商： | MJD32CT4-A |
MJD32CT4-A
Electrical characteristics
Doc ID 13576 Rev 3
5/9
2.2
Test circuits
Figure 11.
Resistive load switching test circuit
1.
Fast electronic switch
2.
Non-inductive resistor
Figure 12.
Inductive load switching test circuit
1.
Fast electronic switch
2.
Non-inductive resistor
3.
Fast recovery rectifier
Figure 10.
Resistive load switching time
(off)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD32CT4 | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| MJD32TF | 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| MJD32I | 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD340-I | 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD340I | 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD32CT4G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32CT4G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MJD32CTF | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32CTF_NBDD002 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32CTF_SBDD002 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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