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参数资料
| 型号： | MJD32CT4 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| 封装： | TO-252, DPAK-3 |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 265K |
| 代理商： | MJD32CT4 |
Revision history
MJD32C
8/9
Doc ID 13673 Rev 3
4
Revision history
Table 5.
Document revision history
Date
Revision
Changes
25-Jun-2007
1
Initial release.
09-Nov-2009
2
Updated package mechanical data.
14-Jan-2010
3
Modified Table 3 on page 2.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD32TF | 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| MJD32I | 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD340-I | 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD340I | 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD350-1 | 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD32CT4 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR PNP -100V TO-252 制造商:STMicroelectronics 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-252 |
| MJD32CT4-A | 功能描述:两极晶体管 - BJT LO PWR PNP PW TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32CT4G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32CT4G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MJD32CTF | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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