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参数资料
| 型号： | MJD32I |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | IPAK-3 |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | MJD32I |
Product Folder - Fairchild P/N MJD32 - PNP Epitaxial Silicon Transistor
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MJD32
PNP Epitaxial Silicon Transistor
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Contents
Features
General Purpose Amplifier
Low Speed Switching Applications
D-PAK for Surface Mount Applications
q
Lead Formed for Surface Mount
Applications (No Suffix)
q
Straight Lead (I-PAK, "-I" Suffix)
q
Electrically Similar to Popular TIP32
and TIP32C
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Datasheet
This pagePrint version
Product status/pricing/packaging
Product
Product status
Pricing*
Package type
Leads
Packing method
MJD32TF
Full Production
$0.306
TO-252(DPAK)
2
TAPE REEL
* 1,000 piece Budgetary Pricing
Models
Package & leads
Condition
Temperature range
Software version
Revision date
PSPICE
TO-252(DPAK)-2
-25°C to 100°C
9.2
Mar 7, 2001
file:///C|/shj/MJD32.html (1 of 2) [Jul-26-2002 3:16:15 PM]
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD340-I | 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD340I | 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD350-1 | 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD32RL | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 40V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32RLG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 40V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32T4 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 40V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32T4G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 40V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32TF | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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