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参数资料
型号： MJE18002AS
厂商： ON SEMICONDUCTOR
元件分类： 功率晶体管
英文描述： 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封装： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件页数： 34/65页
文件大小： 409K
代理商： MJE18002AS
MJE18002 MJF18002
3–707
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
hFE, FORCED GAIN
t si
,ST
ORAGE
TIME
(ns)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0
500
1000
1500
2000
2500
57
9
11
13
15
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
500
1000
1500
2000
2500
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
100
200
300
400
500
600
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS
(IB2 = IC/2 for all switching)
t,TIME
(ns)
t,TIME
(ns)
t,TIME
(ns)
t,TIME
(ns)
t,TIME
(ns)
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 7. Resistive Switching, ton
IC/IB = 5
IC/IB = 10
TJ = 125°C
TJ = 25°C
IB(off) = IC/2
VCC = 300 V
PW = 20
s
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 8. Resistive Switching, toff
IB(off) = IC/2
VCC = 300 V
PW = 20
s
TJ = 25°C
TJ = 125°C
IC/IB = 10
IC/IB = 5
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
Figure 9. Inductive Storage Time, tsi
IB(off) = IC/2
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 H
TJ = 25°C
TJ = 125°C
IC/IB = 5
IC/IB = 10
57
9
11
13
15
Figure 10. Inductive Storage Time
TJ = 25°C
TJ = 125°C
IB(off) = IC/2
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 H
IC = 1 A
IC = 0.4 A
IB(off) = IC/2
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 H
TJ = 25°C
TJ = 125°C
tc
tfi
tc
tfi
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 11. Inductive Switching, tc & tfi, IC/IB = 5
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 12. Inductive Switching, tc & tfi, IC/IB = 10
IB(off) = IC/2
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 H
TJ = 25°C
TJ = 125°C
tc
tfi
tc
tfi
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MJE18004 功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE18004D2 功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE18004D2G 功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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