型号: | MJE18604D2 |
厂商: | MOTOROLA INC |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | POWER TRANSISTORS 3 AMPERES 1600 VOLTS 100 WATTS |
中文描述: | 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
文件页数: | 1/6页 |
文件大小: | 217K |
代理商: | MJE18604D2 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MJE18604 | POWER TRANSISTORS 3 AMPERES 1600 VOLTS 100 WATTS |
MJE341 | 0.5 AMPERE POWER TRANSISTORS NPN SILICON 150-200 VOLTS 20 WATTS |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MJE200_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Power Plastic Transistors |
MJE200G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 25V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJE200STU | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJE200TSTU | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Epitaxial Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |