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参数资料
| 型号： | MMA20312BT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 1/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMP HBT INGAP/GAAS 12-QFN |
| 标准包装： | 1,000 |
| 频率： | 1.8GHz ~ 2.2GHz |
| P1dB： | 28.2dBm（660.7mW） |
| 增益： | 27.2dB |
| 噪音数据： | 3.3dB |
| RF 型： | LTE，PCS，TD-SCDMA，UMTS |
| 电源电压： | 5V |
| 电流 - 电源： | 70mA |
| 测试频率： | 2.14GHz |
| 封装/外壳： | 12-VFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Freescale Semiconductor
Technical Data
Heterojunction Bipolar Transistor
Technology (InGaP HBT)
High Efficiency/Linearity Amplifier
The MMA20312B is a 2--stage high efficiency, Class AB InGaP HBT amplifier
designed for use as a linear driver amplifier in wireless base station applications
as well as an output stage in femtocell or repeater applications. It is suitable for
applications with frequencies from 1800 to 2200 MHz such as TD--SCDMA,
PCS, UMTS and LTE. The amplifier is housed in a cost--effective, surface mount
QFN plastic package.
? Typical Performance: V CC = 5 Volts, I CQ = 70 mA, P out = 17 dBm
G ps ACPR PAE
Frequency (dB) (dBc) (%) Test Signal
Document Number: MMA20312B
Rev. 1.2, 2/2012
MMA20312BT1
1800--2200 MHz, 27.2 dB
30.5 dBm
InGaP HBT
1880 MHz
1920 MHz
2010 MHz
2025 MHz
29.0
29.0
27.4
26.8
--47.4
--46.7
--52.0
--50.0
9.1
9.0
9.3
9.5
TD--SCDMA
TD--SCDMA
TD--SCDMA
TD--SCDMA
2140 MHz
27.0
--51.7
9.4
W--CDMA
CASE 2131--01
Features
? Frequency: 1800--2200 MHz
? P1dB: 30.5 dBm @ 2140 MHz (CW Application Circuit)
? Power Gain: 26.4 dB @ 2140 MHz (CW Application Circuit)
? OIP3: 44.5 dBm @ 2140 MHz (W--CDMA Application Circuit)
? Active Bias Control (adjustable externally)
? Single 5 Volt Supply
? Cost--effective QFN Surface Mount Package
? In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units, 12 mm Tape Width, 7 inch Reel.
QFN 3x3
PLASTIC
Table 1. Typical CW Performance (1)
Table 2. Maximum Ratings
1800
2140
2200
Rating
Symbol
Value
Unit
Characteristic
Small--Signal Gain
(S21)
Input Return Loss
(S11)
Output Return Loss
Symbol
G p
IRL
ORL
MHz
28.8
--17.6
--20.3
MHz
26.4
--10.9
--14.7
MHz
25.5
--9.7
--13.7
Unit
dB
dB
dB
Supply Voltage
Supply Current
RF Input Power
Storage Temperature Range
Junction Temperature (2)
V CC
I CC
P in
T stg
T J
6
550
14
--65 to +150
150
V
mA
dBm
° C
° C
(S22)
2. For reliable operation, the junction temperature should not
Power Output @ 1dB
P1dB
30.5
30.5
30.5
dBm
exceed 150 ° C.
Compression
1. V CC1 = V CC2 = V BIAS = 5 Vdc, T A = 25 ° C, 50 ohm system, CW
Application Circuit
Table 3. Thermal Characteristics
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Case
Case Temperature 86 ° C, V CC1 = V CC2 = V BIAS = 5 Vdc
Symbol
R θ JC
Value (3)
52
Unit
° C/W
3. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf .
Select Documentation/Application Notes -- AN1955.
? Freescale Semiconductor, Inc., 2010--2012. All rights reserved.
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
MMA20312BT1
1
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PDF描述 |
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