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参数资料
| 型号： | MMA20312BT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 2/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMP HBT INGAP/GAAS 12-QFN |
| 标准包装： | 1,000 |
| 频率： | 1.8GHz ~ 2.2GHz |
| P1dB： | 28.2dBm（660.7mW） |
| 增益： | 27.2dB |
| 噪音数据： | 3.3dB |
| RF 型： | LTE，PCS，TD-SCDMA，UMTS |
| 电源电压： | 5V |
| 电流 - 电源： | 70mA |
| 测试频率： | 2.14GHz |
| 封装/外壳： | 12-VFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Table 4. Electrical Characteristics (V CC1 = V CC2 = V BIAS = 5 Vdc, 2140 MHz, T A = 25 ° C, 50 ohm system, in Freescale W--CDMA
Application Circuit)
Characteristic
Small--Signal Gain (S21) (1)
Input Return Loss (S11)
Output Return Loss (S22)
Power Output @ 1dB Compression, CW
Third Order Output Intercept Point, Two--Tone CW
Noise Figure
Supply Current (1,2)
Supply Voltage (2)
Symbol
G p
IRL
ORL
P1dB
OIP3
NF
I CQ
V CC
Min
23.6
—
—
—
—
—
62.5
—
Typ
27.2
--10.7
--15.5
28.2
44.5
3.3
70
5
Max
—
—
—
—
—
—
77
—
Unit
dB
dB
dB
dBm
dBm
dB
mA
V
Table 5. ESD Protection Characteristics
Test Methodology
Human Body Model (per JESD22--A114)
Machine Model (per EIA/JESD22--A115)
Charge Device Model (per JESD22--C101)
Table 6. Moisture Sensitivity Level
Class
0, rated to 150 V
A
III
Test Methodology
Per JESD22--A113, IPC/JEDEC J--STD--020
Rating
3
Package Peak Temperature
260
Unit
° C
1. Specified data is based on performance of soldered down part in W--CDMA application circuit.
2. For reliable operation, the junction temperature should not exceed 150 ° C.
V BA2
V CC1
V CC1
V BA1
BIAS
RF out
V BA2 V CC1 V CC1
12 11 10
CIRCUIT
V BA1
1
9
RF out
V BIAS
RF out
V BIAS
RF in
2
3
8
7
RF out
V CC2
RF in
V CC2
4 5 6
GND GND GND
GND
GND
GND
MMA20312BT1
2
Figure 1. Functional Block Diagram
Figure 2. Pin Connections
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMA20312BVT1 | IC AMP HBT INGAP/GAAS 12QFN |
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| MMA5248WR2 | IC ACCELER 480G X-AXIS 16QFN |
| MMA6331LT | SENSORS ACCELEROMETER 14LGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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