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参数资料
| 型号： | MMBD1000LT3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
| 封装： | CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件页数： | 28/32页 |
| 文件大小： | 299K |
| 代理商： | MMBD1000LT3 |
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Tape and Reel Specifications
6–4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
EMBOSSED TAPE AND REEL DATA FOR DISCRETES
A
Full Radius
T Max
G
20.2 mm Min
(.795
″)
1.5 mm Min
(.06
″)
13.0 mm
± 0.5 mm
(.512
″ ± .002″)
50 mm Min
(1.969
″)
Outside Dimension
Measured at Edge
Inside Dimension
Measured Near Hub
Size
A Max
G
T Max
8 mm
330 mm
(12.992
″)
8.4 mm + 1.5 mm, – 0.0
(.33
″ + .059″, –0.00)
14.4 mm
(.56
″)
12 mm
330 mm
(12.992
″)
12.4 mm + 2.0 mm, – 0.0
(.49
″ + .079″, –0.00)
18.4 mm
(.72
″)
16 mm
360 mm
(14.173
″)
16.4 mm + 2.0 mm, – 0.0
(.646
″ + .078″, –0.00)
22.4 mm
(.882
″)
24 mm
360 mm
(14.173
″)
24.4 mm + 2.0 mm, – 0.0
(.961
″ + .070″, –0.00)
30.4 mm
(1.197
″)
Reel Dimensions
Metric Dimensions Govern — English are in parentheses for reference only
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD3005T1 | 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD352WT3 | SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE |
| MMBF0201NLT3 | 300 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
| MMBF0202PLT3 | 300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
| MMBF170D87Z | 500 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD1005LT1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:Switching Diode |
| MMBD1009 | 制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:Surface Mount Switching Diode |
| MMBD101 | 制造商:LRC 制造商全称:Leshan Radio Company 功能描述:Schottky Barrier Diodes |
| MMBD101_05 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT HIGH FREQUENCY SCHOTTKY DIODE |
| MMBD101_07 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT HIGH FREQUENCY SCHOTTKY DIODE |
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