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参数资料
| 型号： | MMBD2838 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 58K |
| 描述： | DIODE UFAST HI COND 75V SOT-23 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.2V @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 50V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 200mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MMBD2838
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
MMBD2838, Rev. A
MMBD2838
Small Signal Diode
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
3
1
2
SOT-23
1
2
3
A6.
Absolute Maximum Ratings*
TA
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 75 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current 200 mA
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 second
Pulse Width = 1.0 microsecond
1.0
2.0
A
A
Tstg
Storage Temperature Range -55 to +150
°C
TJ
Operating Junction Temperature -55 to +150
°C
Thermal Characteristics
Electrical Characteristics
TA
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
PD
Power Dissipation 350 mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 357
°C/W
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
VR
Breakdown Voltage
IR = 100 μA
75
V
VF
Forward Voltage I
F = 50 mA
IF = 100 mA
1.0
1.2
V
V
IR
Reverse Current
VR = 50 V 100
nA
CT
Total Capacitance
VR = 0, f = 1.0 MHz
4.0 pF
trr
Reverse Recovery Time IF = IR = 10 mA, IRR = 1.0 mA,
RL = 100 ?
4.0 ns
Connection Diagram
12
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MMBD2838LT1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 75V 150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD2838LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal Diode 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SWITCHING DIODE, 75V, 150mA, SOT-23 |
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