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参数资料
| 型号： | MMBD4148,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 66K |
| 描述： | DIODE HIGH SPEED SWITCHING SOT23 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 215mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500nA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 1.5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | TO-236AB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
 MMBD4148_1 ? NXP B.V. 2009. All rights reserved. Product data sheet Rev. 01 — 4 June 2009 3 of 10 NXP Semiconductors MMBD4148 High-speed switching diode 6. Thermal characteristics [1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint. 7. Characteristics [1] Pulse test: tp ≤ 300 μs; δ≤0.02. [2] When switched from IF = 10 mA to IR = 10 mA; RL = 100 Ω; measured at IR = 1 mA. [3] When switched from IF = 10 mA; tr =20ns. Table 6. Thermal characteristics Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit Rth(j-a) thermal resistance fromin free air junction to ambient [1]- - 500 K/W Rth(j-t) thermal resistance from junction to tie-point - - 330 K/W Table 7. Characteristics Tamb=25°C unless otherwise speci?ed. Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit VF forward voltage [1] IF= 1 mA - - 715 mV IF= 10 mA - - 855 mV IF=50mA --1V IF = 150 mA - - 1.25 V IR reverse current VR =25V --30nA VR = 75 V - - 0.5 μA VR = 25 V; Tj = 150 °C --30μA VR= 75 V; Tj= 150°C --50μA Cd diode capacitancef = 1 MHz; VR= 0 V - - 1.5 pF trrreverse recovery time[2]--4ns VFR forward recovery voltage [3] - - 1.75 V |
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MMBD4148-7 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 75V 350mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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