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参数资料
| 型号： | MMBD4148,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 66K |
| 描述： | DIODE HIGH SPEED SWITCHING SOT23 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 215mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500nA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 1.5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | TO-236AB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
 MMBD4148_1 ? NXP B.V. 2009. All rights reserved. Product data sheet Rev. 01 — 4 June 2009 4 of 10 NXP Semiconductors MMBD4148 High-speed switching diode (1) Tamb = 150 °C (2) Tamb =85°C (3) Tamb=25°C (4) Tamb=?40°C Based on square wave currents. Tj=25°C; prior to surge Fig 1. Forward current as a function of forward voltage; typical values Fig 2. Non-repetitive peak forward current as a function of pulse duration; maximum values (1) Tamb= 150°C (2) Tamb=85°C (3) Tamb=25°C (4) Tamb=?40°C f = 1 MHz; Tamb=25°C Fig 3. Reverse current as a function of reverse voltage; typical values Fig 4. Diode capacitance as a function of reverse voltage; typical values 006aab132 1 10 102 103 IF (mA) 10-1 VF (V) 0 1.40.2 1.20.4 0.80.6 1.0 (1) (2) (3) (4) mbg704 10 1 102 IFSM (A) 10?1 tp ( μs) 11010 102 103 4 006aab133 102 IR (mA) 10 VR (V) 0 10020 40 60 80 1 10-1 10-2 10-3 10-4 10-5 (1) (2) (3) (4) 0 08164 12 VR (V) 0.8 0.6 0.4 0.2 mbg446 Cd (pF) |
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PDF描述 |
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参数描述 |
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