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参数资料
| 型号： | MMBD4448HTW-13 |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.25 A, 80 V, 3 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6 |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 80K |
| 代理商： | MMBD4448HTW-13 |
DS30153 Rev. 11 - 2
2 of 3
MMBD4448HCQW /AQW /ADW /CDW /SDW /TW
www.diodes.com
T
C
U
D
O
R
P
W
E
N
Electrical Characteristics @ TA = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Test Condition
Reverse Breakdown Voltage (Note 3)
V(BR)R
80
V
IR = 100
mA
Forward Voltage (Note 3)
VF
0.62
0.72
0.855
1.0
1.25
V
IF = 5.0mA
IF = 10mA
IF = 100mA
IF = 150mA
Reverse Current (Note 3)
IR
100
50
30
25
nA
mA
nA
VR = 70V
VR = 75V, Tj = 150
°C
VR = 25V, Tj = 150
°C
VR = 20V
Total Capacitance
CT
3.5
pF
VR = 6V, f = 1.0MHz
Reverse Recovery Time
trr
4.0
ns
VR = 6V, IF = 5mA
Notes:
3. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.
10
100
1000
1
0.1
0
1.6
1.2
0.4
0.8
I
,
INST
ANT
A
NE
O
US
F
O
R
W
ARD
C
URRENT
(mA)
F
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
F
Fig. 1 Typical Forward Characteristics
T = 125C
A
T = -40C
A
T = 75C
A
T = 25C
A
T = 0C
A
0.1
1
10
100
1000
10000
0
20
40
60
80
100
V , REVERSE VOLTAGE (V)
R
Fig. 2 Typical Reverse Characteristics
I
,
INST
ANT
A
NE
O
US
REVERSE
CURRENT
(nA)
R
T = -40C
A
T = 25C
A
T = 75C
A
T = 125C
A
T= 0C
A
0
0.5
1
2.5
2
1.5
3
0
10
20
40
30
C
,
T
O
T
A
L
C
AP
ACIT
ANCE
(pF)
T
V , REVERSE VOLTAGE (V)
R
Fig.3 Typical Capacitance vs. Reverse Voltage
f= 1MHz
0
50
100
150
200
250
0
100
200
P,
P
O
WER
D
ISSIP
A
T
IO
N
(mW)
d
T , AMBIENT TEMPERATURE (
°C)
A
Fig. 4 Power Derating Curve, Total Package
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD4448HTW-7 | 0.25 A, 80 V, 3 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD4448HST-7 | 0.25 A, 80 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD4448HTA | 0.25 A, 80 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD4448HTS | 0.25 A, 80 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD6100W | 0.2 A, 80 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD4448HTW-7 | 功能描述:整流器 80V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MMBD4448HTW7F | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| MMBD4448HTW-7-F | 功能描述:整流器 80V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MMBD4448HTWPT | 制造商:CHENMKO 制造商全称:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:SWITCHING DIODE ARRAY |
| MMBD4448HTWT | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 500mA 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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