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参数资料
| 型号： | MMBD452LT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 119K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY DUAL 30V SOT-23 |
| 产品变化通告： | Wire Change 08/Jun/2009 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 - 1 对串联 |
| 电压 - 峰值反向(最大)： | 30V |
| 电容@ Vr, F： | 1.5pF @ 15V，1MHz |
| 功率耗散（最大）： | 225mW |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MMBD452LT1GOSDKR |
MMBD452LT1G
http://onsemi.com
2
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. Total Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Minority Carrier Lifetime
IF, FORWARD CURRENT (mA)
Figure 3. Reverse Leakage
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. Forward Voltage
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
, FORWARD CURRENT (mA)
I
F
, REVERSE LEAKAGE ( A)
I
R
0.1
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
100
10
0.0010 6.0 12 18 24
10
1.0
0.1
0.01
0
0102030 40 50 60 70 80 10090
500
0
0 3.0 6.0 9.0 12 15 2118
1.6
30
24 27
1.2
0.8
0.4
f = 1.0 MHz
TA
= -
°C
TA
= 85
°C
TA
= 25
°C
1.0
KRAKAUER METHOD
2.8
2.4
2.0
30
TA
= 100
°C
75°C
25°C
, TOTAL CAPACITANCE (pF)
C
T
, MINORITY CARRIER LIFETIME (ps)
400
300
200
100
SINUSOIDAL
GENERATOR
BALLAST
NETWORK
(PADS)
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
(50
INPUT)
PADS
CAPACITIVE
CONDUCTION
FORWARD
CONDUCTION
STORAGE
CONDUCTION
DUT
IF(PEAK)
IR(PEAK)
Figure 5. Krakauer Method of Measuring Lifetime
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD5004A-7 | DIODE ARRAY 350V 300MA SOT23 |
| MMBD5004BRM-7 | DIODE ARRAY 350V 225MA SOT26 |
| MMBD5004S-7 | DIODE ARRAY 350V 300MA SOT23-3 |
| MMBD6100LT1G | DIODE SWITCH DUAL 70V SOT23 |
| MMBD7000-7 | DIODE DUAL SW 75V 350MW SOT23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD452LT1G_09 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Hot-Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes |
| MMBD495A | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER |
| MMBD495C | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER |
| MMBD495S | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER |
| MMBD5004A-7 | 功能描述:MOSFET HiVolt Switching Dio 100V SOT23 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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