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参数资料
| 型号： | MMBD701LT1 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 射频混频器 |
| 英文描述： | SILICON, VHF-UHF BAND, MIXER DIODE, TO-236AB |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 89K |
| 代理商： | MMBD701LT1 |
MBD701 MMBD701LT1
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. Total Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Minority Carrier Lifetime
IF, FORWARD CURRENT (mA)
Figure 3. Reverse Leakage
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. Forward Voltage
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
,FOR
W
ARD
CURRENT
(mA)
I F
,REVERSE
LEAKAGE
(
A)
I R
m
0.2
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
100
10
0
1020
3040
10
1.0
0.1
0.01
0.001
010
20
500
0
5.0
10
15
20
25
35
1.6
50
40
45
30
1.2
0.8
0.4
f = 1.0 MHz
TA = – 40°C
TA = 85°C
TA = 25°C
1.0
0.1
30
40
50
60
70
80
100
90
KRAKAUER METHOD
0
2.0
50
TA = 100°C
,T
O
TA
L
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
C
T
,MINORITY
CARRIER
LIFETIME
(ps)
t
400
300
200
100
0
TA = 25°C
TA = 75°C
SINUSOIDAL
GENERATOR
BALLAST
NETWORK
(PADS)
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
(50
W INPUT)
PADS
CAPACITIVE
CONDUCTION
FORWARD
CONDUCTION
STORAGE
CONDUCTION
DUT
IF(PEAK)
IR(PEAK)
Figure 5. Krakauer Method of Measuring Lifetime
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ5233BD87Z | 6 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5228BD87Z | 3.9 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5232BD87Z | 5.6 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5237BD87Z | 8.2 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5241B | 11 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD701LT1G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 70V 200mW Dual Common Anode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MMBD701LT3 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 70V 200mW Dual RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MMBD701LT3G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 70V SOT-23 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 二极管 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 二极管类型:PIN - 单 电压 - 峰值反向(最大):50V 电流 - 最大:50mA 电容@ Vr, F:0.4pF @ 50V，1MHz 电阻@ Vr, F:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大）:100mW 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:3-MCP 包装:带卷 (TR) |
| MMBD717 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES |
| MMBD717_09 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES |
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