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参数资料
| 型号： | MMBF170-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 500mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 欧姆 @ 200mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 40pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MMBF170DICT |
MMBF170
1.0
7
6
0.8
5
0.6
0.4
4
3
2
0.2
1
0
0
1
2 3 4
5
0
0
0.2
0.4 0.6 0.8
1.0
2.0
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 On-Region Characteristics
6
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 2 On-Resistance vs. Drain Current
5
1.5
4
1.0
3
2
0.5
1
0
-55
-30 -5 20 45
70
95 120 145
0
0
2 4 6 8 10 12 14 16 18
400
350
300
250
200
150
100
50
T j , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 3 On-Resistance vs. Junction Temperature
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 4 On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
0
0
25
50
75
100 125
150
175
200
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 Max Power Dissipation vs. Ambient Temperature
MMBF170
Document number: DS30104 Rev. 13 - 2
3 of 5
www.diodes.com
August 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBF170LT1 | MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23 |
| MMBF170 | MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23 |
| MMBF2201NT1 | MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-323 |
| MMBF2202PT1 | MOSFET P-CH 20V 300MA SOT-323 |
| MMDF1N05ER2G | MOSFET N-CHAN DUAL 2A 50V 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBF170-7-F | 功能描述:MOSFET 60V 225mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMBF170-7-F-31 | 制造商:DIODES 功能描述:N-CHANNEL MOSFET / SOT-23 |
| MMBF170G-AE2-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:0.5A, 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MMBF170L-AE2-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:0.5A, 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MMBF170LT1 | 功能描述:MOSFET 20V 500mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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