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参数资料
| 型号： | MMBF2201NT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-323 |
| 产品变化通告： | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 300mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1 欧姆 @ 300mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 45pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 150mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SC-70-3（SOT323） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MMBF2201NT1OSCT |
MMBF2201N, NVF2201N
TYPICAL CHARACTERISTICS
10
1.2
8
I D = 300 mA
1.0
V GS = 4.5 V
0.8
6
4
2
0
0.6
0.4
0.2
0
V GS = 10 V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0.1
0.2
0.3 0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
1.0
GATE - SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On Resistance versus Gate ? Source
Voltage
45
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On Resistance versus Drain Current
40
35
V GS = 0 V
F = 1 mHz
0.1
30
25
0.01
0.001
20
15
10
5
0
C iss
C oss
C rss
0
0.1
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V SD , SOURCE - DRAIN FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. Source ? Drain Forward Voltage
1.0
0.9
V DS , DRAIN - SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Capacitance Variation
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
- 55
25
150
0
0.5
1.0 1.5 2.0
2.5
3.0 3.5
4.0
4.5
V GS , GATE - SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Transfer Characteristics
http://onsemi.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBF2202PT1 | MOSFET P-CH 20V 300MA SOT-323 |
| MMDF1N05ER2G | MOSFET N-CHAN DUAL 2A 50V 8SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBF2201NT1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts N-Channel SC-70/SOT-323 |
| MMBF2201NT1G | 功能描述:MOSFET 20V 300mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMBF2201PT1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:LOW RDS SMALL SIGNAL MOSFETS TMOS SINGLE P CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| MMBF2202PT1 | 功能描述:MOSFET 20V 300mA P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMBF2202PT1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts P-Channel SC-70/SOT-323 |
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