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参数资料
| 型号： | MMBF4416 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 100K |
| 描述： | IC AMP RF N-CHANNEL SOT-23 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | N 通道 JFET |
| 频率： | 100MHz |
| 增益： | 18dB |
| 电压 - 测试： | 15V |
| 额定电流： | 15mA |
| 噪音数据： | 2dB |
| 电流 - 测试： | 5mA |
| 电压 - 额定： | 30V |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MMBF4416DKR |
MMBF4416 — N-Channe
l RF Amplifiers
? 2009 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
MMBF4416 Rev. B2 1
April 2009
MMBF4416
N-Channel RF Amplifiers
? This device is designed for RF amplifiers.
? Sourced from process 50.
Absolute Maximum Ratings
TA=25°C unless otherwise noted
Electrical Characteristics
TA=25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VDG
Drain-Gate Voltage 30 V
VGS
Gate-Source Voltage -30 V
IGF
Forward Gate Current 10 mA
TJ, TSTG
Junction and Storage Temperature Range -55 to +150
°C
Symbol Parameter Test Condition Min. Typ. Max. Units
Off Characteristics
V(BR)GSS
Gate-Source Breakdown Voltage VDS
= 0, I
G
= 1
μA-30V
IGSS
Gate Reverse Current VGS
= -20V, V
DS
= 0
VGS
= -20V, V
DS
= 0, T
A
= 150
°C
-1
-200
nA
nA
VGS(off) Gate Source Cut-off Voltage VDS
= 15V, I
D
= 1nA -2.5 -6 V
VGS
Gate Source Voltage VDS
= 15V, I
D
= 0.5mA -1 -5.5 V
On Characteristics
IDSS
Zero-Gate Voltage Drain Current VGS
= 15V, V
GS
= 0 5 15 mA
VGS(f) Gate-Source Forward Voltage VDS
= 0, I
G
= 1mA 1 V
Small Signal Characteristics
lYfsl Forward Transfer Admittance VDS
= 15V, V
GS
= 0, f = 1KHz 4500 7500
μmhos
lyosl Output Admittance VDS
= 15V, V
GS
= 0, f = 1KHz 50
μmhos
Ciss
Input Capacitance VDS
= 15V, V
GS
= 0, f = 1MHz 4
PF
Crss
Reverse Transfer Capacitance VDS
= 15V, V
GS
= 0, f = 1MHz 0.9
PF
Coss
Output Capacitance VDS
= 15V, V
GS
= 0, f = 1MHz 2
PF
Functional Characteristics
NF Noise Figure VDS
= 15V, I
D
= 5mA, R
g
= 100
Ω, f = 100MHz 2 dB
Gps
Common Source Power Gain VDS
= 15V, I
D
= 5mA, R
g
= 100
Ω, f = 100MHz 18 dB
SOT-23D
Mark: 6A
S
G
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBF4416_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel RF Amplifiers |
| MMBF4416_Q | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| MMBF4416A | 功能描述:JFET N-Channel Switch RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| MMBF4416A_Q | 功能描述:JFET N-Channel Switch RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| MMBF4416A_S00Z | 功能描述:JFET N-Channel Switch RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
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