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参数资料
| 型号： | MMBFJ111S62Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | MMBFJ111S62Z |
J111
/
J112
/
J113
/
MMBFJ111
/
MMBFJ112
/
MMBFJ113
Typical Characteristics (continued)
Transfer Characteristics
-3
-2
-1
0
10
20
30
40
V
- GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
I
-
DRA
IN
CURRE
NT
(
m
A)
GS
D
V
= - 3.0 V
GS(off)
25°C
V
= 15 V
DS
V
= - 2.0 V
GS(off)
125°C
- 55°C
25°C
- 55°C
125°C
Transfer Characteristics
-1.5
-1
-0.5
0
4
8
12
16
V
- GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
I
-
DRAI
N
CURRE
NT
(
m
A
)
GS
D
V
= - 1.6 V
GS(off)
25°C
V
= 15 V
DS
V
= - 1.1 V
GS(off)
125°C
- 55°C
25°C
- 55°C
125°C
Transfer Characteristics
-3
-2
-1
0
10
20
30
V
- GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
g
-
T
RAN
S
C
O
NDUCT
ANCE
(
m
h
o
s
)
GS
fs
V
= - 3.0 V
GS(off)
25°C
V
= 15 V
DS
V
= - 2.0 V
GS(off)
125°C
- 55°C
25°C
125°C
- 55°C
Transfer Characteristics
-1.5
-1
-0.5
0
10
20
30
V
- GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
g
-
T
RANS
CO
ND
UCT
A
NCE
(
m
h
o
s
)
GS
fs
V
= - 1.6 V
GS(off)
25°C
V
= 15 V
DS
V
= - 1.1 V
GS(off)
125°C
- 55°C
25°C
125°C
- 55°C
On Resistance vs Drain Current
12
5
10
20
50
100
10
20
50
100
I
- DRAIN CURRENT (mA)
r
-
D
R
A
IN
"
O
N
"R
E
S
IS
T
A
N
C
E
D
DS
V
TYP = - 7.0V
GS(off)
25°C
(
)
125°C
25°C
125°C
r
@ V
= 0
GS
- 55°C
DS
V
TYP = - 2.0V
GS(off)
- 55°C
Normalized Drain Resistance
vs Bias Voltage
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
2
5
10
20
50
100
V
/V
- NORMALIZED GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
r
-
NO
RM
A
L
IZ
E
D
RE
S
IS
T
A
NCE
GS
DS
r
=
DS
V
@ 5.0V, 10
A
GS(off)
r DS
________
V GS(off)
V
GS
1 -
GS(off)
N-Channel Switch
(continued)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA65-5F | PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA14-18F | NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MBM300GS6A | 300 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| MPS8099TRB | 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS8598-5T1 | 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBFJ112 | 功能描述:JFET N-Channel Switch RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| MMBFJ112_SB51338 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| MMBFJ113 | 功能描述:JFET N-Channel Switch RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| MMBFJ113_Q | 功能描述:JFET N-Channel Switch RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| MMBFJ175 | 功能描述:JFET P-Channel Switch RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
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