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参数资料
| 型号： | MMBFJ111S62Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | MMBFJ111S62Z |
J111
/
J112
/
J113
/
MMBFJ111
/
MMBFJ112
/
MMBFJ113
N-Channel Switch
(continued)
Typical Characteristics (continued)
Output Conductance
vs Drain Current
0.01
0.1
10
0.1
1
10
100
I
- DRAIN CURRENT (mA)
g
-
O
U
T
P
UT
CO
NDUCT
ANCE
(
m
h
o
s
)
D
os
V
= - 5.0V
GS(off)
T
= 25°C
f = 1.0 kHz
V
= 5.0V
DG
A
10V
15V
20V
5.0V
V
= - 2.0V
GS(off)
V
= - 0.85V
GS(off)
10V
15V
20V
10V
15V
20V
5.0V
Transconductance
vs Drain Current
0.1
1
10
1
10
100
I
- DRAIN CURRENT (mA)
g
-
T
R
A
N
S
C
O
NDUCT
AN
CE
(m
m
h
o
s
)
D
fs
V
= - 1.4V
GS(off)
T
= 25°C
V
= 15V
f = 1.0 kHz
A
DG
V
= - 3.0V
GS(off)
Capacitance vs Voltage
-20
-16
-12
-8
-4
0
1
10
100
V
- GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
C
(C
)
-
C
A
P
ACI
T
ANC
E
(p
F
)
rs
GS
is
C
(V
= 0)
is
DS
C
(V
= 20)
is
DS
C
(V
= 0)
rs
DS
f = 0.1 - 1.0 MHz
Noise Voltage vs Frequency
0.01
1
10
100
1
5
10
50
100
f - FREQUENCY (kHz)
e
-N
O
ISE
VO
L
T
A
G
E
(n
V
/
H
z
)
n
V
= 15V
BW = 6.0 Hz @ f = 10 Hz, 100 Hz
= 0.21 @ f
≥≥ 1.0 kHz
DG
I
= 10 mA
D
I
= 1.0 mA
D
√√
Noise Voltage vs Current
0.01
0.1
1
10
1
10
100
I
- DRAIN CURRENT (mA)
e
-
N
OIS
E
V
O
L
T
A
G
E
(
n
V
/
H
z
)
n
V
= 15V
DG
√√
D
f = 10 H z
f = 100 Hz
f = 1.0 kHz
f = 10 kHz
f = 100 kHz
Power Dissipation vs
Ambient Temperature
0
255075
100
125
150
0
50
100
150
200
250
300
350
TEMPERATURE ( C)
P
-
P
O
W
E
R
DI
S
IP
A
T
IO
N
(m
W
)
D
o
TO-92
SOT-23
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