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参数资料
| 型号： | MMBFJ309D87Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
| 封装： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件页数： | 9/13页 |
| 文件大小： | 806K |
| 代理商： | MMBFJ309D87Z |
Typical Characteristics (continued)
Transconductance vs.
Drain Current
Parameter Interactions
Leakage Current vs. Voltage
Power Dissipation vs
Ambient Temperature
0
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
600
700
TEMPERATURE ( C)
P
-
POW
E
R
D
IS
S
IP
A
T
IO
N
(
m
W
)
D
o
TO-92
SOT-23
J309
/
J310
/
MMBFJ309
/
MMBFJ310
N-Channel RF Amplifier
(continued)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBFU310LT3 | Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
| MMBT200AD87Z | 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT200D87Z | 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT2222AWT3 | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT2369AD87Z | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBFJ309L | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 30MA I(DSS) | SOT-23 |
| MMBFJ309LT1 | 功能描述:JFET 25V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| MMBFJ309LT1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor N-Channel |
| MMBFJ309LT1G | 功能描述:JFET 25V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| MMBFJ309LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:RF JFET |
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