- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录98024 > MMBFU310LT3 (ON SEMICONDUCTOR) Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMBFU310LT3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件页数： | 23/35页 |
| 文件大小： | 372K |
| 代理商： | MMBFU310LT3 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页当前第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页
MMBFU310LT1
4–188
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
|Y
11
|,|Y
21
|,|Y
22
|(mmhos)
Y
12
(mmhos)
30
24
18
12
6.0
0
1000
100
200
300
500
700
f, FREQUENCY (MHz)
3.0
2.4
1.8
1.2
0.6
|S21|, |S11|
0.45
0.39
0.33
0.27
0.21
0.15
0.85
0.79
0.73
0.67
0.61
0.55
|S12|, |S22|
0.060
0.048
0.036
0.024
0.012
1.00
0.98
0.96
0.94
0.92
0.90
1000
100
200
300
500
700
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 6. Common–Gate Y Parameter
Magnitude versus Frequency
Figure 7. Common–Gate S Parameter
Magnitude versus Frequency
f, FREQUENCY (MHz)
ID, DRAIN CURRENT (mA)
NF
,NOISE
FIGURE
(dB)
NF
,NOISE
FIGURE
(dB)
G
,POWER
GAIN
(dB)
pg
G
,POWER
GAIN
(dB)
pg
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
16
18
20
22
24
21
18
15
12
9.0
6.0
3.0
0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
50
100
200 300
500 700 1000
26
22
18
14
10
6.0
2.0
VDS = 10 V
ID = 10 mA
TA = 25°C
Y11
Y21
Y22
Y12
S22
S21
S11
S12
Gpg
NF
VDS = 10 V
ID = 10 mA
TA = 25°C
VDD = 20 V
f = 450 MHz
BW
≈ 10 MHz
CIRCUIT IN FIGURE 1
VDS = 10 V
ID = 10 mA
TA = 25°C
CIRCUIT IN FIGURE 1
Gpg
NF
f, FREQUENCY (MHz)
θ21, θ11
50
°
40
°
30
°
20
°
10
°
0
°
180
°
170
°
160
°
150
°
140
°
130
°
θ12, θ22
–20
°
–40
°
–80
°
– 120
°
– 160
°
– 200
°
–20
°
–60
°
– 100
°
– 140
°
– 180
°
87
°
86
°
85
°
84
°
83
°
82
°
1000
100
200
300
500
700
Figure 8. Common–Gate Y Parameter
Phase–Angle versus Frequency
f, FREQUENCY (MHz)
θ11, θ12
120
°
100
°
80
°
60
°
40
°
20
°
–20
°
–40
°
–60
°
–80
°
– 100
°
– 120
°
θ21, θ22
0
–40
°
–80
°
–20
°
–60
°
– 100
°
1000
100
200
300
500
700
Figure 9. S Parameter Phase–Angle
versus Frequency
θ22
θ21
θ12
θ11
VDS = 10 V
ID = 10 mA
TA = 25°C
θ11
θ21
θ22
θ21
θ11
θ12
VDS = 10 V
ID = 10 mA
TA = 25°C
Figure 10. Noise Figure and
Power Gain versus Drain Current
Figure 11. Noise Figure and Power Gain
versus Frequency
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT200AD87Z | 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT200D87Z | 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT2222AWT3 | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT2369AD87Z | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT2369ALT3 | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBFV170LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET SOT23 60V 500MA 5R |
| MMBFV170LT3G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET SOT23 60V 500MA 5R - Tape and Reel |
| MMBL4148H | 制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:Surface Mount Switching Diode |
| MMBL4448H | 制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:Surface Mount Switching Diode |
| MMBL914H | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。