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参数资料
| 型号： | MMBT200D87Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 7/13页 |
| 文件大小： | 519K |
| 代理商： | MMBT200D87Z |
Typical Characteristics (continued)
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Collector Saturation Region
100
300
700
2000 4000
0
1
2
3
4
I - BASE CURRENT (uA)
V
-
C
O
LLEC
T
O
R
-E
M
ITT
ER
VO
L
T
A
G
E
(V
)
CE
B
50 mA
300 mA
100 uA
Ta = 25°C
Ic =
CE
R
Collector-Emitter Breakdown
Voltage with Resistance
Between Emitter-Base
0.1
1
10
100
1000
70
75
80
85
90
95
RESISTANCE (k )
BV
-
BRE
A
K
DOW
N
V
O
L
T
AG
E
(
V
)
PN200
/
MMBT200
/
PN200A
/
MMBT200A
Input and Output Capacitance
vs Reverse Voltage
0.1
1
10
100
10
100
V
- COLLECTOR VOLTAGE (V)
CA
P
A
CI
T
ANC
E
(
p
F
)
Cib
Cob
f = 1.0 MHz
CE
Collector-Cutoff Curre nt
vs Ambient Temperature
25
50
75
100
125
0.01
0.1
1
10
100
T - AMBIE NT TEMP ERATURE ( C)
I
-
C
O
L
LE
C
T
O
R
CU
RR
E
N
T
(n
A)
A
CB
O
°
V
= 50V
CB
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
100
300
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
I - COLLECTOR CURRE NT (mA)
V
-
B
A
S
E
M
IT
T
E
R
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
C
BE
S
A
T
β = 10
25
°C
- 40
°C
125
°C
Base Emitter ON Voltage vs
Collector Current
0.1
1
10
100 200
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRE NT (mA)
V
-
B
A
S
E
M
IT
T
E
R
O
N
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
C
BE
O
N
V
= 5V
CE
25
°C
- 40
°C
125
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT2222AWT3 | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT2369AD87Z | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT2369ALT3 | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT2369LT3 | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT2369ALT3G | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT2131T1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 700mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2131T1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors |
| MMBT2131T1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 700mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2131T3 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors |
| MMBT2132T1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Tape and Reel |
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