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参数资料
| 型号： | MMBT200D87Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 8/13页 |
| 文件大小： | 519K |
| 代理商： | MMBT200D87Z |
Typical Characteristics (continued)
Switching Times vs
Collector Current
10
20
30
50
100
200
300
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
300
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
TI
M
E
(nS)
IB1 = IB2 = Ic / 10
V
= 10 V
C
cc
t s
t d
t f
t r
Gain Bandwidth Product
vs Collector Current
110
20
50
100 150
0
10
20
30
40
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
f
-GA
IN
BA
ND
W
ID
T
H
P
R
O
D
U
C
T
(
M
H
z
)
C
T
V
= 5V
ce
Power Dissip atio n vs
Ambient Temperature
0
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
600
700
TEMPER ATURE ( C)
P
-
P
O
W
E
R
DI
S
IP
AT
IO
N
(
m
W
)
D
°
TO-92
SOT-23
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
PN200
/
MMBT200
/
PN200A
/
MMBT200A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT2222AWT3 | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT2369AD87Z | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT2369ALT3 | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT2369LT3 | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT2369ALT3G | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT2131T1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 700mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2131T1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors |
| MMBT2131T1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 700mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2131T3 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors |
| MMBT2132T1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Tape and Reel |
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