型号: | MMBT2222AS62Z |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
文件页数: | 1/6页 |
文件大小: | 113K |
代理商: | MMBT2222AS62Z |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMBT2222AD84Z | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMPQ2222D84Z | 1000 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMPQ2222S62Z | 1000 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBT2222AL99Z | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMPQ2222R2 | 500 mA, 30 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBT2222AT | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBT2222A-T | 功能描述:两极晶体管 - BJT 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBT2222AT_1 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
MMBT2222AT_10 | 制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:Plastic-Encapsulate Transistors NPN Silicon |
MMBT2222AT_11 | 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:NPN General Purpose Amplifier |