收藏本站
参数资料
型号： MMBT2369ALT3
厂商： ON SEMICONDUCTOR
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封装： PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN
文件页数： 8/25页
文件大小： 416K
代理商： MMBT2369ALT3
Surface Mount Information
7–12
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Footprints for Soldering
0.094
2.4
SC–59
mm
inches
0.037
0.95
0.037
0.95
0.039
1.0
0.031
0.8
SOT–23
mm
inches
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
SO–14, SO–16
mm
inches
0.060
1.52
0.275
7.0
0.024
0.6
0.050
1.270
0.155
4.0
SOT–223
0.079
2.0
0.15
3.8
0.248
6.3
0.079
2.0
0.059
1.5
0.059
1.5
0.059
1.5
0.091
2.3
0.091
2.3
mm
inches
mm
inches
0.035
0.9
0.075
0.7
1.9
0.028
0.65
0.025
0.65
0.025
SC–70/SOT–323
1.4
1
0.5 min. (3x)
0.5
min.
(3x)
0.5
SOT 416/SC–90
相关PDF资料
PDF描述
MMBT2369LT3 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT2369ALT3G 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT2484LT3 50 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT3640LT3 80 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT3904 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
MMBT2369ALT3G 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 15V Switching NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2369-G 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
MMBT2369L 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Switcing Transistors
MMBT2369LT1 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 15V Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2369LT1_07 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Switching Transistors NPN Silicon
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*