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参数资料
| 型号： | MMBT3640LT1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 80 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封装： | CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 155K |
| 代理商： | MMBT3640LT1 |
MMBT3640LT1
http://onsemi.com
571
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 3. DC Current Gain
200
10
-1.0
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 4. “On” Voltages
V,
VOL
TAGE
(VOL
TS)
-1.4
0
TJ = 25°C
VBE(on) @ VCE = -1.0 V
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(sat) @ IC/IB = 10
-2.0
-5.0 -10 -20
-50
100
20
50
70
TJ = 125°C
25°C
-55°C
VCE = -1.0 V
30
-100
-0.1 -0.2
-0.5
-1.2
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
-1.0 -2.0
-5.0
-10 -20
-50 -100
-0.1 -0.2
-0.5
IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 5. Collector Saturation Region
V CE
,COLLECT
OR-EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS) -1.0
-0.6
0
IC = -1.0 mA
-0.8
-0.4
-0.2
-0.01 -0.02 -0.05 -0.1 -0.2
-0.5 -1.0 -2.0
-5.0 -10
-5.0 mA
-20 mA
-80 mA
TJ = 25°C
V,
TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
(mV/
C)°
θ
+0.5
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-1.0 -2.0
-5.0 -10 -20
-50 -100
-0.1 -0.2
-0.5
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 6. Temperature Coefficients
*APPLIES FOR IC/IB ≤ hFE/4
RθVC for VCE(sat)
RθVB for VBE
25°C to 125°C
-55°C to 25°C
25°C to 125°C
-55°C to 25°C
Figure 7. Current–Gain — Bandwidth Product
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
2000
200
400
600
800
1000
Figure 8. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
f,
CURRENT-GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
Cobo
-1.0
-2.0
-5.0
-10
-20
-50
-100
-3.0
-7.0
-30
-70
TJ = 25°C
f = 100 MHz
VCE = -10 V
-1.0 V
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
-2.0
-5.0
-3.0
-7.0 -10
-20
-0.2
-0.5
-0.3
-0.7 -1.0
TJ = 25°C
Cibo
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