型号: | MMBT3646L99Z |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 300 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
封装: | SOT-23, 3 PIN |
文件页数: | 4/4页 |
文件大小: | 45K |
代理商: | MMBT3646L99Z |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
MMBT3904-GS18 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBT3904-GS08 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBT3906T/R | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
MMBT3906W | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBT3906WT/R7 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
MMBT3702 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP/ 25V/ 800mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBT3702_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP/ 25V/ 800mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBT3903 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:NPN (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) |
MMBT3904 | 功能描述:两极晶体管 - BJT SOT-23 NPN GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBT3904 _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |