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参数资料
| 型号： | MMBT3904-GS08 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | MMBT3904-GS08 |
www.vishay.com
4
Document Number 85124
Rev. 1.2, 19-May-04
VISHAY
MMBT3904
Vishay Semiconductors
Package Dimensions in mm (Inches)
2.0 (0.079)
0.9 (0.035)
0.95 (0.037)
0.52 (0.020)
1
2
3
17418
2.8 (.110)
3.1 (.122)
0.4 (.016)
0.95 (.037)
0.1 (.004) max.
1.33
(.052)
1.43
(.056)
0.4 (.016)
0.125 (.005)
0.175 (.007)
0.95
(.037)
1.15
(.045)
2.4 (.094)
2.6 (.102)
ISO Method E
Mounting Pad Layout
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT3906T/R | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT3906W | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3906WT/R7 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3906 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT4124 | 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MMBT3904-HF | 功能描述:射频双极电源晶体管 I=200mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
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| MMBT3904K | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN EPITAXIAL SILICON RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3904L | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistor(NPN Silicon) |
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