- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录95965 > MMBT3904T/R (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMBT3904T/R |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 132K |
| 代理商： | MMBT3904T/R |
MMBT3904T
—
NPN
Epit
axial
Silicon
T
ransistor
2007 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
MMBT3904T Rev. 1.0.0
2
Typical Performance Characteristics
Figure 1. DC Current Gain
Figure 2. Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Base- Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Collector- Base Leakage Current
Figure 5. Collector- Base Capacitance
Figure 6. Power Derating
1
10
100
1000
10
100
Vce=1V
T
J
=25
oC
T
J
=75
oC
T
J
=125
oC
T
J
=-25
oC
Cu
rr
en
tGai
n
Collector Current, [mA]
10
100
1000
Ic=10*Ib
T
J
=25
oC
T
J
=75
oC
T
J
=125
oC
T
J
=-25
oC
C
o
llec
tor
-E
m
itt
e
rV
o
ltag
e
,[
m
V
]
Collector Current, [mA]
10
100
1000
Ic=10*Ib
T
J
=-25
oC
T
J
=25
oC
T
J
=75
oC
T
J
=125
oC
B
a
s
e
-Em
itter
V
o
lt
ag
e,[
m
V
]
Collector Current, [mA]
10
20
30
40
50
60
1
10
100
1000
T
J
=-25
oC
T
J
=25
oC
T
J
=75
oC
T
J
=125
oC
Bas
e
-C
ol
lect
or
Leakage
Cur
rent,
[n
A]
Base-Collector Revere Voltage, [V]
05
10
4
5
6
7
f=1mhz
Ba
se-
Co
llect
or
Junt
ion
Cap
a
ci
tance,
C
ob
[p
F]
Base- Collector Reverse Voltage, V
cb
[V]
0
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
300
Po
w
e
rD
iss
ip
at
io
n,
[m
W
]
Ambient Temperature, T
a
[
oC]
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT3904T/R_NL | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3904T | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT3904WT/R7 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3904WT/R13 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3904W | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT3904T-T | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3904TT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3904TT1_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors |
| MMBT3904TT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3904TT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。