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参数资料
| 型号： | MMBT3904WT3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SC-70, 3 PIN |
| 文件页数： | 29/29页 |
| 文件大小： | 485K |
| 代理商： | MMBT3904WT3 |
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NPN MMBT3904WT1 PNP MMBT3906WT1
2–340
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
MMBT3906WT1
STATIC CHARACTERISTICS
Figure 31. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
0.2
0.1
h
,DC
CURRENT
GAIN
(NORMALIZED)
0.5
2.0
3.0
10
50
70
0.2
0.3
0.1
100
1.0
0.7
200
30
20
5.0
7.0
FE
VCE = 1.0 V
TJ = +125°C
+25
°C
–55
°C
MMBT3906WT1
Figure 32. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0.1
V
,COLLECT
OR
EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
0.5
2.0
3.0
10
0.2
0.3
0
1.0
0.7
5.0
7.0
CE
IC = 1.0 mA
TJ = 25°C
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
10 mA
30 mA
100 mA
MMBT3906WT1
Figure 33. “ON” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
Figure 34. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
,V
OL
TA
G
E
(V
OL
TS)
1.0
2.0
5.0 10
20
50
0
100
–0.5
0
0.5
1.0
0
60
80
120
140
160
180
20
40
100
200
–1.0
–1.5
–2.0
200
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE @ VCE = 1.0 V
+25
°C TO +125°C
–55
°C TO +25°C
+25
°C TO +125°C
–55
°C TO +25°C
qVC FOR VCE(sat)
qVS FOR VBE(sat)
V
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)°
θ
MMBT3906WT1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT3906 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT404ALT1 | 150 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT404ALT3 | 150 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT4258D87Z | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5179D87Z | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT3906 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3906 MCC | 制造商:MCC 功能描述:General Purpose PNP SM TRANS SOT-23 制造商:MCC 功能描述:General Purpose PNP SM TRANS SOT-23 - free partial T/R at 500. |
| MMBT3906,215 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3906 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-23 |
| MMBT3906/E9 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
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