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参数资料
| 型号： | MMBT4126-13 |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | MMBT4126-13 |
DS30106 Rev. 5 - 2
3 of 3
MMBT4126
www.diodes.com
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1
10
100
V
,
BASE-EMITTER
(V)
BE(SA
T)
SA
TURA
TION
VOL
T
AGE
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 5, Typical Base-Emitter
Saturation Voltage vs. Collector Current
I
C
I
B
=10
0.01
0.1
10
1
10
100
1000
V
,
COLLECT
OR-EMITTER
(V)
CE(SA
T)
SA
TURA
TION
VOL
T
AGE
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 4, Typical Collector-Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
I
C
I
B
= 10
1
10
1000
100
0.1
1
10
1000
100
h
,
DC
CURRENT
GAIN
FE
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 3, Typical DC Current Gain vs
Collector Current
T = -25°C
A
T = +25°C
A
T = 125°C
A
V
= 1.0V
CE
1
100
10
0.1
1
10
100
C
,
INPUT
C
AP
ACIT
ANCE
(pF)
IBO
C
,
OUTPUT
CAP
A
CIT
A
NCE
(pF)
OBO
V
, COLLECTOR-BASE VOLTAGE (V)
CB
Fig. 2, Input and Output Capacitance vs.
Collector-Base Voltage
f= 1MHz
Cibo
Cobo
0
50
100
25
50
75
100
125
150
175
200
P
,
POWER
D
ISSIP
A
TION
(mW)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
A
Fig. 1, Max Power Dissipation vs
Ambient Temperature
150
200
250
300
350
0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT4401-T1 | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT4403-T1 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5343-Y-TP | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5550_NL | 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT5551-13 | 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT4126-7 | 功能描述:两极晶体管 - BJT -25V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4126-7-F | 功能描述:两极晶体管 - BJT -25V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4126LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 25V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4126LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 25V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4126LT3G | 功能描述:两极晶体管 - BJT SS GP XSTR PNP 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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