型号: | MMBT4403-GS08 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | PLASTIC PACKAGE-3 |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 86K |
代理商: | MMBT4403-GS08 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMBT4403L-AE3-R | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBT4403G-AL3-R | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBT4403G-AE3-R | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBT4403LT1 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBT4403LT1-TP | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBT4403K | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP EPITAXIAL SILICON RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBT4403LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBT4403LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBT4403LT1H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
MMBT4403LT1S | 制造商:Motorola 功能描述:4403 MOT'93 T/R 制造商:Motorola Inc 功能描述:Transistor |