- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录95967 > MMBT4403-GS08 (VISHAY SEMICONDUCTORS) 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMBT4403-GS08 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 86K |
| 代理商： | MMBT4403-GS08 |
VISHAY
MMBT4403
Document Number 85145
Rev. 1.2, 24-May-04
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
3
Switching Time Equivalent Test Circuit
Delay time (see fig.1)
- IB1 = 15 mA, - IC = 150 mA,
- VCC = 30 V, - VEB = 2 V
td
15
ns
Rise time (see fig.1)
- IB1 = 15 mA, - IC = 150 mA,
- VCC = 30 V, - VEB = 2 V
tr
20
ns
Storage time (see fig.2)
- IB1 = - IB2 = 15 mA,
- IC = 150 mA, - VCC = 30 V
ts
225
ns
Fall time (see fig.2)
- IB1 = - IB2 = 15 mA,
- IC = 150 mA, - VCC = 30 V
tf
30
ns
Parameter
Test condition
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Figure 1. Turn-On Time
<2ns
0
+16 V
-2 V
*) total shunt capacitance of test jig,
connectors and oscilloscope
scope rise time<4ns
1k
200
+30V
C <10pF*)
S
1to100
s
Duty cycle=2%
18983
Figure 2. Turn-Off Time
*) total shunt capacitance of test jig,
connectors and oscilloscope
scope rise time<4ns
1k
200
+30V
C <10pF*)
S
18984
<20ns
0
+16V
-14V
1to100
s
Duty cycle=2%
-4V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT4403L-AE3-R | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT4403G-AL3-R | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT4403G-AE3-R | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT4403LT1 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT4403LT1-TP | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT4403K | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP EPITAXIAL SILICON RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4403LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4403LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4403LT1H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MMBT4403LT1S | 制造商:Motorola 功能描述:4403 MOT'93 T/R 制造商:Motorola Inc 功能描述:Transistor |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。