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参数资料
| 型号： | MMBT4403LT1 |
| 厂商： | RECTRON LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 中文描述： | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 660K |
| 代理商： | MMBT4403LT1 |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (@TA=25OC unless otherwise noted)
OFF CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS(2)
Chatacteristic
Collector-Emitter Breakdown Voltage(2) (IC= -1.0 mAdc, IB= 0)
Collector-Base Breakdown Voltage (IC= -0.1mAdc, IE= 0)
Emitter-Base Breakdown Voltage (IE= -0.1mAdc, IC= 0)
Base Cutoff Current (VCE= -35Vdc, VBE(off)= -0.4Vdc)
Collector Cutoff Current (VCE= -35Vdc, VEB= -0.4Vdc)
DC Current Gain (IC= -0.1mAdc, VCE= -1.0Vdc)
(IC= -10mAdc, VCE= -1.0Vdc)
(IC= -1.0mAdc, VCE= -1.0Vdc)
V(BR)CEO
-40
-
Vdc
V(BR)CBO
-40
-
Vdc
V(BR)EBO
-5.0
-
Vdc
ICEX
IBEV
-
-0.1
-
-0.1
hFE
30
-
60
-
100
-
100
300
Adc
Symbol
Min
Max
Unit
(IC= -150mAdc, VCE= -2.0Vdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage (2) (IC= -150mAdc, IB= -15mAdc)
(IC= -500mAdc, IB= -50mAdc)
(IC= -500mAdc, VCE= -2.0Vdc)
Vdc
VCE(sat)
20
-
-0.4
-
-0.75
Vdc
VBE(sat)
-0.75
-0.95
-
-1.3
Base-Emitter Saturation Voltage (2) (IC= -150mAdc, IB= -15mAdc)
(IC= -500mAdc, IB= -50mAdc)
RECTRON
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
SWITCHING CHARACTERISTICS
fT
200
-
MHz
Current-Gain-Bandwidth Product (IC= -20mAdc, VCE= -10Vdc, f= 100MHz)
Ccb
Ceb
-
8.5
pF
td
tr
ts
tf
-
ns
hie
-
30
1.5
15
kohms
hre
0.1
8.0
60
500
X 10-4
hfe
1.0
100
-
hoe
225
30
15
20
mhos
Output Capacitance (VCB= -10Vdc, IE= 0, f= 1.0MHz)
Input Capacitance (VEB= -0.5Vdc, IC= 0, f= 1.0MHz)
Voltage Feedback Ratio (VCE= -10Vdc, IC= -1.0mAdc, f= 1.0kHz)
Output Admittance (VCE= -10Vdc, IC= -1.0mAdc, f= 1.0kHz)
(VCC= -30Vdc, VEB= -2.0Vdc, IC= -150mAdc, IB1= -15mAdc)
(VCC= -30Vdc, IC= -150mAdc, IB1= IB2= -15mAdc)
Input lmpedance (VCE= -10Vdc, IC= -1.0mAdc, f= 1.0kHz)
Small-Signal Current Gain (VCE= -10Vdc, IC= -1.0mAdc, f= 1.0kHz)
Delay Time
Rise Time
Storage Time
Fall Time
NOTES : 2. Pulse Test: Pulse Width<300
s,Duty Cycle<2.0%
-
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT4403LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4403LT1H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MMBT4403LT1S | 制造商:Motorola 功能描述:4403 MOT'93 T/R 制造商:Motorola Inc 功能描述:Transistor |
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| MMBT4403LT3G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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