- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录95969 > MMBT5771S62Z (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMBT5771S62Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | MMBT5771S62Z |
N
Discrete POWER & Signal
Technologies
NPN Darlington Transistor
This device is designed for applications requiring extremely
high current gain at collector currents to 1.0 A. Sourced from
Process 05. See MPSA14 for characteristics.
2N6427
MMBT6427
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Symbol
Parameter
Value
Units
VCEO
Collector-Emitter Voltage
40
V
VCBO
Collector-Base Voltage
40
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
12
V
IC
Collector Current - Continuous
1.2
A
TJ, Tstg
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Characteristic
Max
Units
2N6427
*MMBT6427
PD
Total Device Dissipation
Derate above 25
°C
625
5.0
350
2.8
mW
mW/
°C
RθJC
Thermal Resistance, Junction to Case
83.3
°C/W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
200
357
°C/W
2N6427
/
MMBT6427
C
B
E
TO-92
C
B
E
SOT-23
Mark: 1V
*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT589 | 2000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT589 | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5962D87Z | NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT5962L99Z | NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT5962S62Z | NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT589LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 2A 30V Switching PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT589LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 2A 30V Switching PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT589LT3 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 2A 30V Switching PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT589LT3G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 2A 30V Switching PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5962 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。