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参数资料
型号： MMBT6517P
厂商： MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： 500 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： SOT-23, 3 PIN
文件页数： 1/3页
文件大小： 158K
代理商： MMBT6517P
MMBT6517
NPN High Voltage
Transistors
Features
Marking Code:MMBT6517=1Z
Maximum Ratings
Symbol
Rating
Unit
VCEO
Collector-Emitter Voltage
350
V
VCBO
Collector-Base Voltage
350
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5.0
V
IB
Base Current
250
mA
IC
Collector Current-Continuous
500
mA
PC
Power dissipation
300
mW
TJ
Junction Temperature
-55 to +150
OC
TSTG
Storage Temperature
-55 to +150
OC
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(IC=1.0mAdc, IB=0)
350
---
Vdc
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
(IC=100uAdc, IE=0)
350
---
Vdc
V(BR)EBO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(IE=10uAdc, IC=0)
6.0
---
Vdc
ICBO
Collector-Base Cutoff Current
(VCB=250Vdc,IE=0)
---
50
nAdc
IEBO
Emitter-Base Cutoff Current
(VEB=5.0Vdc, IC=0)
---
50
nAdc
ON CHARACTERISTICS(1)
hFE
DC Current Gain
(IC=1.0mAdc, VCE=10Vdc)
(IC=10mAdc, VCE=10Vdc)
(IC=30mAdc, VCE=10Vdc)
(IC=50mAdc, VCE=10Vdc)
(IC=100mAdc, VCE=10Vdc)
20
30
20
15
---
200
---
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(IC=10mAdc, IB=1.0mAdc)
(IC=20mAdc, IB=2.0mAdc)
(IC=30mAdc, IB=3.0mAdc)
(IC=50mAdc, IB=5.0mAdc)
---
0.30
0.35
0.50
1.0
Vdc
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
(IC=10mAdc, IB=1.0mAdc)
(IC=20mAdc, IB=2.0mAdc)
(IC=30mAdc, IB=3.0mAdc)
---
0.75
0.85
0.90
Vdc
VBE(on)
Base-Emitter on Voltage
(IC=100mAdc, VCE=10Vdc)
---
2.0
Vdc
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
fT
Current-Gain-Bandwidth Product
(VCE=20V, f=20MHz, IC=10mA)
40
200
MHz
Ccb
Collector-Base Capacitance
(VCB=20V, f=1.0MHz)
---
6.0
pF
Ceb
Collector-Base Feedback Capacitance
(VEB=0.5V, f=1.0MHz)
---
80
pF
Note: 1. Pulse test: Pulse width<300us, duty cycle<2%
omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
www.mccsemi.com
Revision: 1
2003/09/04
SOT-23
Suggested Solder
Pad Layout
DIMENSIONS
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
.110
.120
2.80
3.04
B
.083
.098
2.10
2.64
C
.047
.055
1.20
1.40
D
.035
.041
.89
1.03
E
.070
.081
1.78
2.05
F
.018
.024
.45
.60
G
.0005
.0039
.013
.100
H
.035
.044
.89
1.12
J
.003
.007
.085
.180
K
.015
.020
.37
.51
A
B
C
D
E
F
G
H
J
.079
2.000
inches
mm
.031
.800
.035
.900
.037
.950
.037
.950
K
3
1
2
1.BASE
3.COLLECTOR
2.EMITTER
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PDF描述
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参数描述
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MMBT6520LT1G 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6520LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR
MMBT6520LT3 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6520LT3G 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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