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参数资料
| 型号： | MMBT6517P |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 158K |
| 代理商： | MMBT6517P |
Figure 6. Turn–On Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70
t,
TIME
(ns)
1.0 k
20
10
Figure 7. Turn–Off Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70
30
50
70
100
200
300
500
700
td @ VBE(off) = 2.0 V
tr
VCE(off) = 100 V
IC/IB = 5.0
TJ = 25°C
t,
TIME
(ns)
10 k
100
200
300
500
700
1.0 k
2.0 k
3.0 k
5.0 k
7.0 k
VCE(off) = 100 V
IC/IB = 5.0
IB1 = IB2
TJ = 25°C
ts
tf
MCC
www.mccsemi.com
Revision: 1
2003/09/04
Figure 5. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
200
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100
100
2.0
3.0
5.0
70
1.0
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
7.0
10
20
30
50
TJ = 25°C
Ccb
Ceb
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT6517 | 500 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT6520LT3 | 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT6520LT3 | 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT7002 | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236 |
| MMBT8599LT3 | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MMBT6520LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6520LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR |
| MMBT6520LT3 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6520LT3G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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