- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录95970 > MMBT6517P (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS) 500 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMBT6517P |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 158K |
| 代理商： | MMBT6517P |
Figure 1. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50 70
200
100
10
20
50
70
VCE = 10 V
TJ = 125°C
25
°C
– 55
°C
Figure 2. Current–Gain — Bandwidth Product
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70
100
20
30
50
70
f
,CURRENT–GAIN
—
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
10
TJ = 25°C
VCE = 20 V
f = 20 MHz
30
Figure 3. “On” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70
V
,VOL
T
AGE
(VOL
TS)
1.4
1.2
0
0.6
0.8
1.0
0.4
0.2
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(on) @ VCE = 10 V
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 5.0
Figure 4. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50
70
2.5
R
V
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)
°
θ
2.0
1.5
1.0
0.5
0
– 0.5
– 1.0
– 1.5
– 2.0
– 2.5
R
θVC for VCE(sat)
R
θVB for VBE
25
°C to 125°C
– 55
°C to 25°C
– 55
°C to 125°C
IC
IB
+ 10
MCC
www.mccsemi.com
Revision: 1
2003/09/04
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT6517 | 500 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT6520LT3 | 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT6520LT3 | 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT7002 | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236 |
| MMBT8599LT3 | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT6520LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6520LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6520LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR |
| MMBT6520LT3 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6520LT3G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。