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参数资料
| 型号： | MMBTA14/E9 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 25K |
| 代理商： | MMBTA14/E9 |
MMBTA13 and MMBTA14
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
www.vishay.com
Document Number 88229
2
10-May-02
Electrical Characteristics (TC = 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Minimum
Maximum
Unit
Collector-Emitter Breakdown Voltage
at IC = 100
A, IB = 0
V(BR)CEO
30
–
V
Emitter Cutoff Current
VEB = 10 V, IC = 0
IEBO
–
100
nA
Collector Cutoff Current
VCB = 30 V, IE = 0
ICBO
–
100
nA
Collector-Emitter Saturation Voltage
at IC = 100 mA, IB = 0.1 mA
VCEsat
–
1.5
V
Base-Emitter On Voltage
at IC = 100 mA, VCE = 5.0V
VBE(on)
–
2.0
V
DC Current Gain
at VCE = 5.0 V, IC = 10 mA
MMBTA13
5000
––
MMBTA14
hFE
10000
––
at VCE = 5.0 V, IC = 100 mA
MMBTA13
10000
––
MMBTA14
20000
––
Gain-Bandwidth Product
at VCE = 5.0 V, IC = 10 mA, f = 100 MHZ
fT
125
–
MHZ
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTA13/E8 | 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
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| MMBTA14L-AE3-R | 500 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA14G-AE3-R | 500 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA14LT3 | 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MMBTA14LT1G | 功能描述:达林顿晶体管 300mA 30V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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| MMBTA14-T | 功能描述:达林顿晶体管 300mA 30V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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