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参数资料
| 型号： | MMBTA42S62Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MMBTA42S62Z |
MPSA42
/
MMBTA42
/
PZTA42
NPN High Voltage Amplifier
(continued)
Typical Characteristics (continued)
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P48
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
B
A
SE-
EM
IT
T
E
R
VO
L
T
A
G
E
(
V
)
BE
S
A
T
C
ββ = 10
- 40 C
25 °C
125 °C
Base-Emitter ON Voltage vs
Collector Current
P48
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
B
A
SE-
EM
IT
T
E
R
O
N
VO
L
T
A
G
E
(
V
)
B
E(ON
)
C
V
= 1V
CE
- 40 C
25 °C
125 °C
Collector-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
P48
25
50
75
100
125
150
1
10
100
T - AMBIENT TEMPERATURE ( C)
I
-
CO
L
E
C
T
O
R
CU
RRE
N
T
(n
A)
A
V
= 150V
CB
CBO
Collector-Base and Emitter-Base
Capacitance vs Reverse Bias Voltage
1
10
100
1000
1
2
5
10
20
50
100
REVERSE BIAS VOLTAGE (V)
C
A
P
ACI
T
ANC
E
(p
F
)
C cb
Ceb
T
= 25 °C
A
Power Dissipation vs
Ambient Temperature
0
25
50
75
100
125
150
0
0.25
0.5
0.75
1
TEMPERATURE ( C)
P
-
P
O
W
E
R
D
ISSI
P
A
T
IO
N
(
W
)
D
o
SOT-223
TO-92
SOT-23
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTA42LT3 | 50 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTA43LT3 | 500 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTA43 | 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA517 | 400 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MMBTA42-TP | 功能描述:两极晶体管 - BJT 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA43LT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 200V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA43LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 200V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA44 _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
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