参数资料
型号: MMBTA92
厂商: LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 300 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
文件页数: 3/4页
文件大小: 172K
代理商: MMBTA92
Electrical characteristic curves
Fig.1 DC Current Gain
Fig.3
“ON” Voltages
Fig.5 Gain-Bandwidth Product vs. Collector Current
相关PDF资料
PDF描述
MMBTA92 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA92T/R7 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA93D87Z PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA93L99Z PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA93 500 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
相关代理商/技术参数
参数描述
MMBTA92 T/R 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
MMBTA92,215 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA92 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-23
MMBTA92 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTORS RF BIPOLAR TRANSISTOR TYPE:
MMBTA92_D87Z 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2