参数资料
型号: MMBZ12VAL,215
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 13/17页
文件大小: 0K
描述: DIODE ESD PROT DBL 8.5V SOT-23
标准包装: 1
电压 - 反向隔离(标准值): 8.5V
电压 - 击穿: 11.4V
功率(瓦特): 40W
电极标记: 2 通道阵列 - 单向
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3
包装: 标准包装
其它名称: 568-8084-6
NXP Semiconductors
MMBZxAL series
Low capacitance unidirectional double ESD protection diodes
10. Package outline
2.5 1.4
2.1 1.2
3.0
2.8
3
0.45
0.15
1.1
0.9
1
2
0.48
0.15
Dimensions in mm
1.9
0.38
0.09
04-11-04
Fig 11. Package outline SOT23 (TO-236AB)
11. Packing information
Table 11. Packing methods
The indicated -xxx are the last three digits of the 12NC ordering code. [1]
Type number
Package
Description
Packing quantity
3000
10000
MMBZ5V6AL
SOT23
4 mm pitch, 8 mm tape and reel
-215
-235
MMBZ6V2AL
MMBZ6V8AL
MMBZ9V1AL
MMBZ10VAL
MMBZ12VAL
MMBZ15VAL
MMBZ18VAL
MMBZ20VAL
MMBZ27VAL
MMBZ33VAL
MMBZXAL_SER_2
[1]
For further information and the availability of packing methods, see Section 15 .
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 10 December 2009
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相关代理商/技术参数
参数描述
MMBZ12VALT1 功能描述:TVS二极管阵列 12V Dual Zener RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C
MMBZ12VALT1G 功能描述:TVS二极管阵列 12V Dual Zener Common Anode RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C
MMBZ12VALT3 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
MMBZ12VALT3G 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
MMBZ12VDG 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression