参数资料
| 型号： | MMBZ12VAL,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 8/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD PROT DBL 8.5V SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 8.5V |
| 电压 - 击穿： | 11.4V |
| 功率（瓦特）： | 40W |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-8084-6 |
NXP Semiconductors
MMBZxAL series
Low capacitance unidirectional double ESD protection diodes
7. Characteristics
Table 10. Characteristics
T amb = 25 ° C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
V F
forward voltage
I F = 10 mA
-
-
0.9
V
V RWM
reverse standoff voltage
MMBZ5V6AL
MMBZ6V2AL
MMBZ6V8AL
MMBZ9V1AL
MMBZ10VAL
MMBZ12VAL
MMBZ15VAL
MMBZ18VAL
MMBZ20VAL
MMBZ27VAL
MMBZ33VAL
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
3
4.5
6
6.5
8.5
12
14.5
17
22
26
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
I RM
reverse leakage current
MMBZ5V6AL
MMBZ6V2AL
MMBZ6V8AL
MMBZ9V1AL
MMBZ10VAL
MMBZ12VAL
MMBZ15VAL
MMBZ18VAL
MMBZ20VAL
MMBZ27VAL
MMBZ33VAL
V RWM = 3 V
V RWM = 3 V
V RWM = 4.5 V
V RWM = 6 V
V RWM = 6.5 V
V RWM = 8.5 V
V RWM = 12 V
V RWM = 14.5 V
V RWM = 17 V
V RWM = 22 V
V RWM = 26 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.24
5
10
5
1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
5
200
300
100
20
5
5
5
5
5
5
μ A
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
V BR
breakdown voltage
MMBZ5V6AL
MMBZ6V2AL
MMBZ6V8AL
MMBZ9V1AL
MMBZ10VAL
MMBZ12VAL
I R = 20 mA
I R = 1 mA
I R = 1 mA
I R = 1 mA
I R = 1 mA
I R = 1 mA
5.32
5.89
6.46
8.65
9.5
11.4
5.6
6.2
6.8
9.1
10
12
5.88
6.51
7.14
9.56
10.5
12.6
V
V
V
V
V
V
MMBZ15VAL
I R = 1 mA
14.25 15
15.75 V
MMBZ18VAL
MMBZ20VAL
I R = 1 mA
I R = 1 mA
17.1
19
18
20
18.9
21
V
V
MMBZ27VAL
MMBZ33VAL
I R = 1 mA
I R = 1 mA
25.65 27
31.35 33
28.35 V
34.65 V
MMBZXAL_SER_2
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 10 December 2009
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PDF描述 |
|---|---|
| 69154-310 | CONN RCPT 20POS .100" DBL SMD |
| 929842-01-10-RA | CONN SOCKET 20POS DL .100" GOLD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ12VALT1 | 功能描述:TVS二极管阵列 12V Dual Zener RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| MMBZ12VALT1G | 功能描述:TVS二极管阵列 12V Dual Zener Common Anode RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| MMBZ12VALT3 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors |
| MMBZ12VALT3G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors |
| MMBZ12VDG | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression |
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