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参数资料
| 型号： | MMBZ5240BLT3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 10 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC, CASE 318-07, 3 PIN |
| 文件页数： | 11/20页 |
| 文件大小： | 258K |
| 代理商： | MMBZ5240BLT3 |
1SMB5913BT3 Series
Motorola TVS/Zener Device Data
7-157
3 Watt DC Power Data Sheet
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
Figure 7. Zener Voltage — 14 To 200 Volts
Figure 8. Effect of Zener Current
200
100
70
50
30
20
10
20
30
50
70
100
200
VZ, ZENER VOLTAGE (VOLTS)
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
(mV/
C)
°
θ VZ
IZ, ZENER TEST CURRENT (mA)
1k
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
500
Z
,DYNAMIC
IMPEDANCE
(OHMS)
Z
VZ @ IZT
TJ = 25°C
iZ(rms) = 0.1 IZ(dc)
VZ =150V
91V
62V
22V
12V
6.8V
NOTE 1. ZENER VOLTAGE (VZ) MEASUREMENT
Nominal zener voltage is measured with the device junction in thermal equilibrium with ambi-
ent temperature at 25
°C.
NOTE 2. ZENER IMPEDANCE (ZZ) DERIVATION
ZZT and ZZK are measured by dividing the ac voltage drop across the device by the ac current
applied. The specified limits are for IZ(ac) = 0.1 IZ(dc) with the ac frequency = 60 Hz.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMSZ4683T1 | 3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ4706T3 | 19 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ5230BT3 | 4.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ5267BT3 | 75 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MZP4761ARL | 75 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5240BLT3G | 功能描述:稳压二极管 10V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5240BS-7 | 功能描述:稳压二极管 10V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5240BS-7-F | 功能描述:稳压二极管 10V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5240BT-7 | 功能描述:稳压二极管 150MW 10V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5240BT-7-F | 功能描述:稳压二极管 150MW 10V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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