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参数资料
型号： MMBZ5240BLT3
厂商： MOTOROLA INC
元件分类： 齐纳二极管
英文描述： 10 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
封装： PLASTIC, CASE 318-07, 3 PIN
文件页数： 15/20页
文件大小： 258K
代理商： MMBZ5240BLT3
Type
Number
Max Zener
Impedance
ZZT1
(Ohms)
@IZT1 =
5mA
Max Zener
Impedance
ZZT2
(Ohms)
@IZT2 =
1mA
Max Zener
Impedance
ZZT3
(Ohms)
@IZT3 =
20 mA
IR
A @
VR
Volts
C pF
Max
@ VR = 0
f = 1 MHz
GENERAL DATA — 225 mW SOT-23
Motorola TVS/Zener Device Data
7-142
225 mW SOT-23 Data Sheet
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Pinout: 1-Anode, 2-NC, 3-Cathode) (VF = 0.9 V Max @ IF = 10 mA for all types)
Zener Voltage
VZ1 (Volts)
@IZT1 =5mA
(Note 1)
Max
Reverse
Leakage
Current
Zener Voltage
VZ2 (Volts)
@IZT2 =1mA
(Note 1)
Zener Voltage
VZ3 (Volts)
@IZT3 =20mA
(Note 1)
dVZ/dt
(mV/k)
@ IZT1 = 5 mA
Marking
Nom
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
BZX84C2V4LT1
Z11
2.4
2.2
2.6
100
50
1
1.7
2.1
600
2.6
3.2
50
–3.5
0
450
BZX84C2V7LT1
Z12
2.7
2.5
2.9
100
20
1
1.9
2.4
600
3
3.6
50
–3.5
0
450
BZX84C3V0LT1
Z13
3
2.8
3.2
95
10
1
2.1
2.7
600
3.3
3.9
50
–3.5
0
450
BZX84C3V3LT1
Z14
3.3
3.1
3.5
95
5
1
2.3
2.9
600
3.6
4.2
40
–3.5
0
450
BZX84C3V6LT1
Z15
3.6
3.4
3.8
90
5
1
2.7
3.3
600
3.9
4.5
40
–3.5
0
450
BZX84C3V9LT1
Z16
3.9
3.7
4.1
90
3
1
2.9
3.5
600
4.1
4.7
30
–3.5
–2.5
450
BZX84C4V3LT1
W9
4.3
4
4.6
90
3
1
3.3
4
600
4.4
5.1
30
–3.5
0
450
BZX84C4V7LT1
Z1
4.7
4.4
5
80
3
2
3.7
4.7
500
4.5
5.4
15
–3.5
0.2
260
BZX84C5V1LT1
Z2
5.1
4.8
5.4
60
2
4.2
5.3
480
5
5.9
15
–2.7
1.2
225
BZX84C5V6LT1
Z3
5.6
5.2
6
40
1
2
4.8
6
400
5.2
6.3
10
–2.0
2.5
200
BZX84C6V2LT1
Z4
6.2
5.8
6.6
10
3
4
5.6
6.6
150
5.8
6.8
6
0.4
3.7
185
BZX84C6V8LT1
Z5
6.8
6.4
7.2
15
2
4
6.3
7.2
80
6.4
7.4
6
1.2
4.5
155
BZX84C7V5LT1
Z6
7.5
7
7.9
15
1
5
6.9
7.9
80
7
8
6
2.5
5.3
140
BZX84C8V2LT1
Z7
8.2
7.7
8.7
15
0.7
5
7.6
8.7
80
7.7
8.8
6
3.2
6.2
135
BZX84C9V1LT1
Z8
9.1
8.5
9.6
15
0.5
6
8.4
9.6
100
8.5
9.7
8
3.8
7.0
130
BZX84C10LT1
Z9
10
9.4
10.6
20
0.2
7
9.3
10.6
150
9.4
10.7
10
4.5
8.0
130
BZX84C11LT1
Y1
11
10.4
11.6
20
0.1
8
10.2
11.6
150
10.4
11.8
10
5.4
9.0
130
BZX84C12LT1
Y2
12
11.4
12.7
25
0.1
8
11.2
12.7
150
11.4
12.9
10
6.0
10.0
130
BZX84C13LT1
Y3
13
12.4
14.1
30
0.1
8
12.3
14
170
12.5
14.2
15
7.0
11.0
120
BZX84C15LT1
Y4
15
13.8
15.6
30
0.05
10.5
13.7
15.5
200
13.9
15.7
20
9.2
13.0
110
BZX84C16LT1
Y5
16
15.3
17.1
40
0.05
11.2
15.2
17
200
15.4
17.2
20
10.4
14.0
105
BZX84C18LT1
Y6
18
16.8
19.1
45
0.05
12.6
16.7
19
225
16.9
19.2
20
12.4
16.0
100
BZX84C20LT1
Y7
20
18.8
21.2
55
0.05
14
18.7
21.1
225
18.9
21.4
20
14.4
18.0
85
BZX84C22LT1
Y8
22
20.8
23.3
55
0.05
15.4
20.7
23.2
250
20.9
23.4
25
16.4
20.0
85
BZX84C24LT1
Y9
24
22.8
25.6
70
0.05
16.8
22.7
25.5
250
22.9
25.7
25
18.4
22.0
80
VZ1 Below
@IZT1 =2mA
ZZT1
Below
@IZT1 =
2mA
VZ2 Below
@IZT2 = 0.1 mA
ZZT2
Below
@IZT4 =
0.5 mA
(Note 2)
VZ3 Below
@IZT3 =10mA
ZZT3
Below
@IZT3 =
10 mA
dVZ/dt
(mV/k) Below
@ IZT1 = 2 mA
BZX84C27LT1
Y10
27
25.1
28.9
80
0.05
18.9
25
28.9
300
25.2
29.3
45
21.4
25.3
70
BZX84C30LT1
Y11
30
28
32
80
0.05
21
27.8
32
300
28.1
32.4
50
24.4
29.4
70
BZX84C33LT1
Y12
33
31
35
80
0.05
23.1
30.8
35
325
31.1
35.4
55
27.4
33.4
70
BZX84C36LT1
Y13
36
34
38
90
0.05
25.2
33.8
38
350
34.1
38.4
60
30.4
37.4
70
BZX84C39LT1
Y14
39
37
41
130
0.05
27.3
36.7
41
350
37.1
41.5
70
33.4
41.2
45
BZX84C43LT1
Y15
43
40
46
150
0.05
30.1
39.7
46
375
40.1
46.5
80
37.6
46.6
40
BZX84C47LT1
Y16
47
44
50
170
0.05
32.9
43.7
50
375
44.1
50.5
90
42.0
51.8
40
BZX84C51LT1
Y17
51
48
54
180
0.05
35.7
47.6
54
400
48.1
54.6
100
46.6
57.2
40
BZX84C56LT1
Y18
56
52
60
200
0.05
39.2
51.5
60
425
52.1
60.8
110
52.2
63.8
40
BZX84C62LT1
Y19
62
58
66
215
0.05
43.4
57.4
66
450
58.2
67
120
58.8
71.6
35
BZX84C68LT1
Y20
68
64
72
240
0.05
47.6
63.4
72
475
64.2
73.2
130
65.6
79.8
35
BZX84C75LT1
Y21
75
70
79
255
0.05
52.5
69.4
79
500
70.3
80.2
140
73.4
88.6
35
NOTES: 1. Zener voltage is measured with a pulse test current (IZ) applied at an ambient temperature of 25°C.
NOTES: 2. The zener impedance, ZZT2, for the 27 through 75 volt types is tested at 0.5 mA rather than the test current of 0.1 mA used for VZ2.
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PDF描述
MMSZ4683T1 3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ4706T3 19 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ5230BT3 4.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ5267BT3 75 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MZP4761ARL 75 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
相关代理商/技术参数
参数描述
MMBZ5240BLT3G 功能描述:稳压二极管 10V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMBZ5240BS-7 功能描述:稳压二极管 10V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMBZ5240BS-7-F 功能描述:稳压二极管 10V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMBZ5240BT-7 功能描述:稳压二极管 150MW 10V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMBZ5240BT-7-F 功能描述:稳压二极管 150MW 10V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
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