- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录81266 > MMBZ5240BLT3 (MOTOROLA INC) 10 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMBZ5240BLT3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 10 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC, CASE 318-07, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/20页 |
| 文件大小： | 258K |
| 代理商： | MMBZ5240BLT3 |
MMSZ5221BT1, MMSZ4678T1, MMSZ2V4T1 Series
Motorola TVS/Zener Device Data
7-149
500 mW Leadless (SOD-123) Data Sheet
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted [1]), (VF = 0.9 V Max. @ IF = 10 mA for all types)
T
Mki
Zener Voltage
VZ @ IZT
Volts
[1] [2]
Test
Current
IZT
Max Zener
Impedance [3]
Max Reverse
Leakage
Current
IR @ VR
Test
Voltage
Type
Number
Marking
Nom
Min
Max
IZT
mA
ZZT
@ IZ = IZT
ZZK
@ IZK = 0.25 mA
IR @ VR
A
Voltage
VR
Volts
MMSZ5256BT1
M1
30
28.50
31.50
4.2
49
600
0.1
23
MMSZ5257BT1
M2
33
31.35
34.65
3.8
58
700
0.1
25
MMSZ5258BT1
M3
36
34.20
37.80
3.4
70
700
0.1
27
MMSZ5259BT1
M4
39
37.05
40.95
3.2
80
800
0.1
30
MMSZ5260BT1
M5
43
40.85
45.15
3.0
93
900
0.1
33
MMSZ5261BT1
N1
47
44.65
49.35
2.7
105
1000
0.1
36
MMSZ5262BT1
N2
51
48.45
53.55
2.5
125
1100
0.1
39
MMSZ5263BT1
N3
56
53.20
58.80
2.2
150
1300
0.1
43
MMSZ5264BT1
N4
60
57.00
63.00
2.1
170
1400
0.1
46
MMSZ5265BT1
N5
62
58.90
65.10
2.0
185
1400
0.1
47
MMSZ5266BT1
P1
68
64.60
71.40
1.8
230
1600
0.1
52
MMSZ5267BT1
P2
75
71.25
78.75
1.7
270
1700
0.1
56
MMSZ5268BT1
P3
82
77.90
86.10
1.5
330
2000
0.1
62
MMSZ5269BT1
P4
87
82.65
91.35
1.4
370
2200
0.1
68
MMSZ5270BT1
P5
91
86.45
95.55
1.4
400
2300
0.1
69
[1] Nominal zener voltage is measured with the device junction in thermal equilibrium at T
L = 30°C ± 1°C.
[2] All part numbers shown indicate a V
Z tolerance of ±5%.
[3] Z
ZT and ZZK are measured by dividing the AC voltage drop across the device by the AC current applied. The specified limits are for IZ(AC) = 0.1 IZ(DC), with the AC frequency = 1 kHz.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMSZ4683T1 | 3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ4706T3 | 19 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ5230BT3 | 4.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ5267BT3 | 75 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MZP4761ARL | 75 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5240BLT3G | 功能描述:稳压二极管 10V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5240BS-7 | 功能描述:稳压二极管 10V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5240BS-7-F | 功能描述:稳压二极管 10V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5240BT-7 | 功能描述:稳压二极管 150MW 10V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5240BT-7-F | 功能描述:稳压二极管 150MW 10V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。