| 型号: | MMBZ5245/E8 |
| 厂商: | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类: | 参考电压二极管 |
| 英文描述: | 15 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| 文件页数: | 1/3页 |
| 文件大小: | 125K |
| 代理商: | MMBZ5245/E8 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ5266/E9 | 68 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| MMBZ5267/E9 | 75 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| MBRFB760 | 7.5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| MV1860A-5% | 2.2 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MV104RLRA | 39.5 pF, 32 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5245ELT1 | 功能描述:稳压二极管 15V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5245ELT1G | 功能描述:稳压二极管 15V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5245ELT3G | 功能描述:稳压二极管 15V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5246A _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| MMBZ5246A_ R2 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |