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参数资料
| 型号： | MMDF2C03HDR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N+P 30V 3A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.1A，3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 630pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MMDF2C03HDR2OSCT |
MMDF2C03HD
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C unless otherwis e noted) (Note 3)
Characteristic
Symbol
Polarity
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? Source Breakdown Voltage
(V GS = 0 Vdc, I D = 250 m Adc)
Zero Gate Voltage Drain Current
(V DS = 30 Vdc, V GS = 0 Vdc)
Gate ? Body Leakage Current (V GS = ± 20 Vdc, V DS = 0)
V (BR)DSS
I DSS
I GSS
?
(N)
(P)
?
30
?
?
?
?
?
?
?
?
1.0
1.0
100
Vdc
m Adc
nAdc
ON CHARACTERISTICS (Note 4)
Gate Threshold Voltage
(V DS = V GS , I D = 250 m Adc)
Drain ? to ? Source On ? Resistance
(V GS = 10 Vdc, I D = 3.0 Adc)
(V GS = 10 Vdc, I D = 2.0 Adc)
Drain ? to ? Source On ? Resistance
(V GS = 4.5 Vdc, I D = 1.5 Adc)
(V GS = 4.5 Vdc, I D = 1.0 Adc)
Forward Transconductance
(V DS = 3.0 Vdc, I D = 1.5 Adc)
(V DS = 3.0 Vdc, I D = 1.0 Adc)
V GS(th)
R DS(on)
R DS(on)
g FS
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
1.0
1.0
?
?
?
?
2.0
2.0
1.7
1.5
0.06
0.17
0.065
0.225
3.6
3.4
3.0
2.0
0.070
0.200
0.075
0.300
?
?
Vdc
W
W
mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
C iss
(N)
(P)
?
?
450
397
630
550
pF
Output Capacitance
Transfer Capacitance
(V DS = 24 Vdc, V GS = 0 Vdc,
f = 1.0 MHz)
C oss
C rss
(N)
(P)
(N)
(P)
?
?
?
?
160
189
35
64
225
250
70
126
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 5)
Turn ? On Delay Time
t d(on)
(N)
(P)
?
?
12
16
24
32
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
Turn ? On Delay Time
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
(V DD = 15 Vdc, I D = 3.0 Adc,
V GS = 4.5 Vdc, R G = 9.1 W )
(V DD = 15 Vdc, I D = 2.0 Adc,
V GS = 4.5 Vdc, R G = 6.0 W )
(V DD = 15 Vdc, I D = 3.0 Adc,
V GS = 10 Vdc, R G = 9.1 W )
(V DD = 15 Vdc, I D = 2.0 Adc,
V GS = 10 Vdc, R G = 6.0 W )
t r
t d(off)
t f
t d(on)
t r
t d(off)
t f
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
65
18
16
63
19
194
8.0
9.0
15
10
30
81
23
192
130
36
32
126
38
390
16
18
30
20
60
162
46
384
Total Gate Charge
Q T
(N)
(P)
?
?
11.5
14.2
16
19
nC
Gate ? Source Charge
Gate ? Drain Charge
(V DS = 10 Vdc, I D = 3.0 Adc,
V GS = 10 Vdc)
(V DS = 24 Vdc, I D = 2.0 Adc,
V GS = 10 Vdc)
Q 1
Q 2
Q 3
(N)
(P)
(N)
(P)
(N)
(P)
?
?
?
?
?
?
1.5
1.1
3.5
4.5
2.8
3.5
?
?
?
?
?
?
3. Negative signs for P ? Channel device omitted for clarity.
4. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 m s, Duty Cycle ≤ 2%.
5. Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
http://onsemi.com
2
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| MMDF2C03HDR2G | 功能描述:MOSFET COMP S08C 30V 4.1A 70mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMDF2C03HDR2G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
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| MMDF2N02ER2G | 功能描述:MOSFET NFET SO8D 25V 3.6A 100mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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