- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18212 > MMDF2C03HDR2 (ON Semiconductor)MOSFET N+P 30V 3A 8-SOIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMDF2C03HDR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N+P 30V 3A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.1A，3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 630pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MMDF2C03HDR2OSCT |
MMDF2C03HD
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
N ? Channel
P ? Channel
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
I D = 1.5 A
T J = 25 ° C
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
I D = 1 A
T J = 25 ° C
0
2
3
4 5
6 7
8
9
10
0
0
1
2 3 4
5 6 7 8
9
10
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance versus
Gate ? To ? Source Voltage
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance versus
Gate ? To ? Source Voltage
0.08
T J = 25 ° C
0.30
T J = 25 ° C
0.25
0.07
V GS = 4.5
0.20
V GS = 4.5 V
0.06
10 V
0.15
10 V
0.05
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.10
0
0.5
1
1.5 2
2.5 3
3.5
4
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
2.0
V GS = 10 V
1.6
V GS = 10 V
1.5
I D = 1.5 A
1.4
I D = 2 A
1.2
1.0
1.0
0.5
0.8
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-LC526R-156.25 | OSC 156.25 MHZ 2.5V LVDS SMD |
| AT-18.432MAGQ-T | CRYSTAL 18.432 MHZ 10PF SMD |
| FVXO-PC73B-120 | OSC 120 MHZ 3.3V PECL SMD |
| B32524Q6685K | FILM CAP 6.8UF 10% 400V |
| M2047TXW13 | SWITCH ROCKER DP3T 6A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMDF2C03HDR2G | 功能描述:MOSFET COMP S08C 30V 4.1A 70mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMDF2C03HDR2G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
| MMDF2N02E | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 2 Amps, 25 Volts N−Channel SO−8, Dual |
| MMDF2N02ER2 | 功能描述:MOSFET 25V 2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMDF2N02ER2G | 功能描述:MOSFET NFET SO8D 25V 3.6A 100mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。