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参数资料
| 型号： | MMDF3304 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 7300 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | MINIATURE, CASE 751-06, SO-8 |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | MMDF3304 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMDF3N03HDR2 | 2.8 A, 30 V, 0.09 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MMDF3N06VLR2 | 3.3 A, 60 V, 0.13 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MMDF3P03HDR2 | 3000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MMDF4N01ZR1 | 4500 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MMDF4N01ZR2 | 4500 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMDF3C03HD | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:COMPLEMENTARY DUAL TMOS POWER FET 30 VOLTS |
| MMDF3N02HD | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 3 Amps, 20 Volts N-Channel SO-, DuaL |
| MMDF3N02HDR2 | 功能描述:MOSFET 20V 3A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMDF3N02HDR2G | 功能描述:MOSFET NFET SO8D 20V 3.8A 90mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMDF3N03HD | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 3 Amps, 30 Volts |
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